В данной статье описывается эксперимент с полевыми транзисторами: IRL510, IRF530N, IRF5305, КП303Г
MOSFET N-канал IRF530N, IRL510
Подключение:
IRL510
Напряжение отпирания: 1.7В
V2=+5.1В при V1<0 IR1=0, т. транзистор при отрицательном затворе закрыт.
Uзи=V1, В | IR1, мА |
---|---|
0 | 0 |
1.3 | 0.03 |
1.38 | 0.09 |
1.46 | 0.27 |
1.52 | 0.65 |
1.58 | 1.55 |
1.69 | 5.78 |
1.77 | 12.71 |
1.92 | 20.8 |
2.14 | 21 |
2.61 | 21.1 |
4.82 | 21.4 |
Видно, как транзистор открывается еще при Uзи = 1.3В, появляется небольшой ток.
IRF530N
Напряжение отпирания: 3.5В
V2=+5.1В при V1<0 IR1=0, т. транзистор при отрицательном затворе закрыт.
Uзи=V1, В | IR1, мА |
---|---|
0 | 0 |
2.8 | 0.01 |
2.99 | 0.06 |
3.07 | 0.12 |
3.15 | 0.24 |
3.2 | 0.43 |
3.34 | 1.68 |
3.47 | 5.66 |
3.55 | 12.57 |
3.64 | 21 |
3.79 | 21.3 |
4.00 | 21.3 |
Видно, как транзистор открывается еще при Uзи = 2.8В, появляется небольшой ток.
График зависимостей силы тока стока от напряжения на затворе транзисторов 510(синий) и 530(красный):
MOSFET P-канал IRF5305
Подключение:
Напряжение отпирания: Uзи=-3.6, т.е ниже чем исток на 3.6В.
V2=+5.1В при V1>Uи IR1=0, т.е. транзистор закрыт.
Uзи, В | V1, В | IR1, мА |
---|---|---|
0 | 5.1 | 0 |
-2.94 | 2.15 | -0.01 |
-3.05 | 2.04 | -0.04 |
-3.19 | 1.89 | -0.17 |
-3.33 | 1.75 | -0.69 |
-3.43 | 1.64 | -1.87 |
-3.62 | 1.40 | -9.84 |
-3.69 | 1.27 | -17.6 |
-3.78 | 1.14 | -20.8 |
-3.9 | 1.03 | -21 |
-4.9 | 0.04 | -21.4 |
JFET N-канал КП303Г
Подключение:
Vgs=0.94В, I=1.3 мА
транзистор пропускает ток, при нулевом напяжении на завторе
V2=+5.1В
Uзи, В | V1, В | IR1, мА |
---|---|---|
-1.71 | 0.01 | |
-1.56 | 0.1 | |
-1.34 | 0.39 | |
-1.01 | 1.15 | |
-0.86 | 1.59 | |
-0.65 | 2.25 | |
-0.39 | 3,21 | |
0 | 0 | 4.83 |
0.18 | 0.18 | 5.62 |
0.45 | 0.45 | 6.94 |
0.67 | 0.83 | 8.07 |
1.06 | 2.06 | 9.2 |
1.48 | 3.19 | 10 |
1.87 | 4.86 | 10.97 |
При 0В у него не нулевой ток стока. Чтоб его запереть, нужно подать отрицательное напряжение на затвор относительно истока. Положитльные напряжения допускаются, но не большие, не более 0.5В(а лучше еще меньше), иначе откроется управляющий p-n переход.
Как показал опыт, отрицтельное напряжение по отношению к истоку заперло транзистор, при 0 на затворе через сток протекал ток, и при напряжении на затворе выше 0.6В открылся p-n переход и на затворе появился ощутимый ток, который обеспечил падение напряжения на R2 - резисторе затвора.